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日本のArF 193ナノメートルフォトレジスト市場を動かしているのは何でしょうか。本記事では、国内需要を押し上げている要因と、市場を構成する製品タイプ・用途を整理します。
需要を押し上げている要因
日本におけるArF 193nmフォトレジストの需要は、主に半導体製造プロセスの微細化と先端ロジックデバイス向けの需要拡大によって急増しています。特に日本の半導体業界では、EUVリソグラフィへの移行が進む一方、ArF液浸技術は依然としてDRAMやNANDフラッシュ、さらには車載用CISなど多層化が進むイメージセンサーの製造に不可欠であり、これらの分野での使用が需要を支えています。コスト面では、日本の半導体メーカーは高い歩留まりと生産効率を求められており、フォトレジストの調達コスト上昇が厳しい競争圧力となっています。また、環境規制の強化に伴い、日本ではPFAS（パーフルオロアルキル化合物）を含む材料の規制が進んでおり、従来の樹脂組成から脱却した環境適合型フォトレジストへの置き換えが急速に進んでいます。技術的には、パターンの更なる微細化に対応するため、高感度化と低ラインエッジラフネスを両立する新規樹脂や添加剤の開発が進み、従来の化学増幅型から非化学増幅型や有機無機ハイブリッド型への設計思想のシフトが起きています。
製品タイプ別の内訳
- ドライプロセス
- [その他]
タイプごとの特徴
ArF 193nmフォトレジストは、主にドライプロセス用とそれ以外の用途に分類されます。ドライプロセス用レジストは、半導体製造におけるエッチング工程で、プラズマを用いた気相エッチングに耐性を持つように設計されており、微細なパターンを形成するための高い解像度とエッチング耐性が要求されます。これは、特にロジックデバイスやメモリデバイスの微細化が進む最先端のリソグラフィ工程で使用され、積層膜のパターニングに不可欠です。一方、その他の用途としては、液浸リソグラフィ用のレジストが代表的であり、水などの液体をレンズとウエハーの間に介在させることで、より微細なパターンを実現します。こちらは、ドライプロセス用よりもさらに高い解像度が求められる、例えば7nm世代以降の微細加工に使用されます。また、特殊な膜厚調整や反射防止層との組み合わせなど、特定のプロセス条件に合わせたカスタマイズが行われる場合もあります。
用途別の内訳
- 7ナノメートルチップ
- [その他]
市場に関わる主要企業
- Fujifilm
- DuPont
- Sumitomo Chemical
- Jiangsu Nata Opto
- JSR
- TOK
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